AOK66613

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - SingleN-канал 60 В 58,5 А (Ta), 120 А (Tc) 15,6 Вт (Ta), 312 Вт (Tc) сквозное отверстие TO-247
Вес и габариты
current - continuous drain (id) @ 25в°c58.5A (Ta), 120A (Tc)
drain to source voltage (vdss)60V
drive voltage (max rds on, min rds on)8V, 10V
1 120
+
Бонус: 22.4 !
Бонусная программа
Итого: 1 120
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - SingleN-канал 60 В 58,5 А (Ta), 120 А (Tc) 15,6 Вт (Ta), 312 Вт (Tc) сквозное отверстие TO-247
Вес и габариты
current - continuous drain (id) @ 25в°c58.5A (Ta), 120A (Tc)
drain to source voltage (vdss)60V
drive voltage (max rds on, min rds on)8V, 10V
eccnEAR99
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs110nC @ 10V
htsus8541.29.0095
input capacitance (ciss) (max) @ vds5300pF @ 30V
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 175В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-247-3
power dissipation (max)15.6W (Ta), 312W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs2.5mOhm @ 20A, 10V
rohs statusROHS3 Compliant
seriesAlphaSGTв„ў ->
supplier device packageTO-247
technologyMOSFET (Metal Oxide)
vgs (max)В±20V
vgs(th) (max) @ id3.5V @ 250ВµA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль