AOD608

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Транзисторы / Полевые транзисторы / Сборки MOSFET транзисторовкорпус: TO-252-4L, инфо: Сборка из полевых транзисторов, N+P-канальный, 40 В, -10 А/10 А, 2.5 ВтTrans MOSFET N/P-CH 40V 12A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R
Вес и габариты
automotiveUnknown
channel modeEnhancement
channel typeN|P
34
+
Бонус: 0.68 !
Бонусная программа
Итого: 34
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Транзисторы / Полевые транзисторы / Сборки MOSFET транзисторовкорпус: TO-252-4L, инфо: Сборка из полевых транзисторов, N+P-канальный, 40 В, -10 А/10 А, 2.5 ВтTrans MOSFET N/P-CH 40V 12A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R
Вес и габариты
automotiveUnknown
channel modeEnhancement
channel typeN|P
configurationDual Common Drain
eccn (us)EAR99
eu rohsCompliant
maximum continuous drain current (a)12
maximum drain source resistance (mohm)30 10V N Channel|45 10V P Channel
maximum drain source voltage (v)40
maximum gate source leakage current (na)100
maximum gate source voltage (v)±20
maximum gate threshold voltage (v)3
maximum idss (ua)1
maximum operating temperature (°c)175
maximum power dissipation (mw)27000 N Channel|30000 P Channel
minimum operating temperature (°c)-55
mountingSurface Mount
number of elements per chip2
packagingTape and Reel
part statusActive
pcb changed4
pin count5
ppapUnknown
process technologyTMOS
product categoryPower MOSFET
standard package nameTO-252
supplier packageDPAK
tabTab
typical fall time (ns)6.6 N Channel|41.2 P Channel
typical gate charge @ 10v (nc)16.2 P Channel|8.3 N Channel
typical gate charge @ vgs (nc)8.3 10V N Channel|16.2 10V|7.2 4.5V P Channel
typical input capacitance @ vds (pf)516 20V N Channel|900 20V P Channel
typical rise time (ns)3.6 N Channel|8.4 P Channel
typical turn-off delay time (ns)16.2 N Channel|44.8 P Channel
typical turn-on delay time (ns)6.4 N Channel|6.2 P Channel
вес, г0.439
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль