AO6608

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - ArraysМассив полевых транзисторов N и P-каналы, дополнительные 30 В, 20 В, 3,4 А (Ta), 3,3 А (Ta) 1,25 Вт (Ta), поверхностный монтаж 6-TSOP
Вес и габариты
current - continuous drain (id) @ 25в°c3.4A (Ta), 3.3A (Ta)
drain to source voltage (vdss)30V, 20V
eccnEAR99
130
+
Бонус: 2.6 !
Бонусная программа
Итого: 130
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - ArraysМассив полевых транзисторов N и P-каналы, дополнительные 30 В, 20 В, 3,4 А (Ta), 3,3 А (Ta) 1,25 Вт (Ta), поверхностный монтаж 6-TSOP
Вес и габариты
current - continuous drain (id) @ 25в°c3.4A (Ta), 3.3A (Ta)
drain to source voltage (vdss)30V, 20V
eccnEAR99
fet featureStandard
fet typeN and P-Channel Complementary
gate charge (qg) (max) @ vgs3nC @ 4.5V, 10nC @ 4.5V
htsus8541.29.0095
input capacitance (ciss) (max) @ vds235pF @ 15V, 510pF @ 10V
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
other related documentshttp://aosmd.com/media/AOSGreenPolicy.pdf
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseSC-74, SOT-457
power - max1.25W (Ta)
rds on (max) @ id, vgs60mOhm @ 3.4A, 10V, 75mOhm @ 3.3A, 4.5V
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
series*
supplier device package6-TSOP
vgs(th) (max) @ id1.5V @ 250ВµA, 1V @ 250ВµA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль