Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - ArraysМассив Mosfet, 4 канала N, согласованная пара 10,6 В, 12 мА, 3 мА, 500 мВт, поверхностный монтаж, 16-SOIC

Подробное описание

Вес и габариты
california prop 65	Warning Information
current - continuous drain (id) @ 25в°c	12mA, 3mA
drain to source voltage (vdss)	10.6V

Все характеристики

1 520 ₽

– +

Бонус: 30.4 !

Бонусная программа

Итого: 1 520 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Вес и габариты
california prop 65	Warning Information
current - continuous drain (id) @ 25в°c	12mA, 3mA
drain to source voltage (vdss)	10.6V
eccn	EAR99
fet feature	Depletion Mode
fet type	4 N-Channel, Matched Pair
htsus	8541.21.0095
input capacitance (ciss) (max) @ vds	2.5pF @ 5V
moisture sensitivity level (msl)	1 (Unlimited)
mounting type	Surface Mount
operating temperature	0В°C ~ 70В°C (TJ)
package	Tube
package / case	16-SOIC (0.154"", 3.90mm Width)
power - max	500mW
rds on (max) @ id, vgs	540Ohm @ 0V
rohs status	ROHS3 Compliant
series	EPADВ® ->
supplier device package	16-SOIC
vgs(th) (max) @ id	3.45V @ 1ВµA

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

ALD114835SCL