ALD1107PBL

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - ArraysMosfet Array 4 P-Channel, согласованная пара 10,6 В, 500 мВт, сквозное отверстие 14-PDIP
Вес и габариты
california prop 65Warning Information
drain to source voltage (vdss)10.6V
eccnEAR99
1 320
+
Бонус: 26.4 !
Бонусная программа
Итого: 1 320
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - ArraysMosfet Array 4 P-Channel, согласованная пара 10,6 В, 500 мВт, сквозное отверстие 14-PDIP
Вес и габариты
california prop 65Warning Information
drain to source voltage (vdss)10.6V
eccnEAR99
fet featureStandard
fet type4 P-Channel, Matched Pair
htsus8541.21.0095
id - непрерывный ток утечки2 mA
input capacitance (ciss) (max) @ vds3pF @ 5V
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов4 Channel
конфигурацияQuad
максимальная рабочая температура+ 70 C
минимальная рабочая температура0 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature0В°C ~ 70В°C (TJ)
packageTube
package / case14-DIP (0.300"", 7.62mm)
pd - рассеивание мощности500 mW
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораP-Channel
power - max500mW
продуктMOSFET Small Signal
размер фабричной упаковки50
rds on (max) @ id, vgs1800Ohm @ 5V
rds вкл - сопротивление сток-исток1.2 kOhms
rohs statusROHS3 Compliant
серияALD1107P
supplier device package14-PDIP
технологияSi
тип продуктаMOSFET
тип транзистора4 P-Channel
торговая маркаAdvanced Linear Devices
ТипMOSFET
упаковкаTube
упаковка / блокPDIP-14
vds - напряжение пробоя сток-исток12 V
vgs - напряжение затвор-исток12 V, + 12 V
vgs(th) (max) @ id1V @ 1ВµA
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток400 mV
вид монтажаThrough Hole
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль