ALD1105SBL

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - ArraysМатрица Mosfet согласованная пара с 2 N и 2 P-каналами 10,6 В, 500 мВт, поверхностный монтаж 14-SOIC
Вес и габариты
california prop 65Warning Information
drain to source voltage (vdss)10.6V
eccnEAR99
1 320
+
Бонус: 26.4 !
Бонусная программа
Итого: 1 320
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - ArraysМатрица Mosfet согласованная пара с 2 N и 2 P-каналами 10,6 В, 500 мВт, поверхностный монтаж 14-SOIC
Вес и габариты
california prop 65Warning Information
drain to source voltage (vdss)10.6V
eccnEAR99
fet featureStandard
fet type2 N and 2 P-Channel Matched Pair
htsus8541.21.0095
input capacitance (ciss) (max) @ vds3pF @ 5V
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
operating temperature0В°C ~ 70В°C (TJ)
packageTube
package / case14-SOIC (0.154"", 3.90mm Width)
power - max500mW
rds on (max) @ id, vgs500Ohm @ 5V
rohs statusROHS3 Compliant
supplier device package14-SOIC
vgs(th) (max) @ id1V @ 1ВµA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль