2SK3565(STA4,Q,M)

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Вес и габариты
rds on - drain-source resistance2.5О© @ 3A,10V
transistor polarityN Channel
vds - drain-source breakdown voltage900V
270
+
Бонус: 5.4 !
Бонусная программа
Итого: 270
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Вес и габариты
rds on - drain-source resistance2.5О© @ 3A,10V
transistor polarityN Channel
vds - drain-source breakdown voltage900V
vgs - gate-source voltage4V @ 1mA
continuous drain current (id) @ 25в°c5A
power dissipation-max (ta=25в°c)45W(Tc)
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль