2SK3065

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
МОП-транзистор N-CH 60V 2A
Вес и габариты
channel modeEnhancement
configurationSingle
длина4.5 mm
24
+
Бонус: 0.48 !
Бонусная программа
Итого: 24
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
МОП-транзистор N-CH 60V 2A
Вес и габариты
channel modeEnhancement
configurationSingle
длина4.5 mm
factory pack quantity1000
fall time70 ns
Высота 1.5 мм
id - continuous drain current2 A
id - непрерывный ток утечки2 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
manufacturerROHM Semiconductor
maximum operating temperature+150 C
минимальная рабочая температура55 C
minimum operating temperature-55 C
mounting styleSMD/SMT
number of channels1 Channel
package / caseSOT-89-3
packagingCut Tape or Reel
pd - power dissipation2 W
pd - рассеивание мощности2 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
product categoryMOSFET
product typeMOSFET
размер фабричной упаковки1000
rds on - drain-source resistance350 mOhms
rds вкл - сопротивление сток-исток350 mOhms
rise time50 ns
subcategoryMOSFETs
technologySi
технологияSi
типичное время задержки при включении20 ns
типичное время задержки выключения120 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаROHM Semiconductor
transistor polarityN-Channel
transistor type1 N-Channel
ТипMOSFET
typeMOSFET
typical turn-off delay time120 ns
typical turn-on delay time20 ns
упаковка / блокSOT-89-3
vds - drain-source breakdown voltage60 V
vds - напряжение пробоя сток-исток60 V
vgs - gate-source voltage20 V
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs th - gate-source threshold voltage800 mV
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток800 mV
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания50 ns
время спада70 ns
Ширина2.5 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль