2N7002K-T1-GE3, N-Channel MOSFET, 300 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23 2N7002K-T1-GE3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2N7002K-T1-GE3
Вес и габариты
rds on - drain-source resistance2О© @ 500mA,10V
transistor polarityN Channel
vds - drain-source breakdown voltage60V
14
+
Бонус: 0.28 !
Бонусная программа
Итого: 14
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Вес и габариты
rds on - drain-source resistance2О© @ 500mA,10V
transistor polarityN Channel
vds - drain-source breakdown voltage60V
vgs - gate-source voltage2.5V @ 250uA
continuous drain current (id) @ 25в°c300mA
power dissipation-max (ta=25в°c)350mW
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль