2N7002, Транзистор, N-канал, 60В, 0.2А [SOT-23]

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2N7002
N-канальный MOSFET в режиме улучшения, Fairchild Semiconductor Полевые транзисторы (FET) в режиме улучшения производятся с использованием запатентованной Fairchild, технологии DMOS с высокой плотностью ячеек. Этот процесс с высокой плотностью был разработан для минимизации сопротивления в открытом состоянии, обеспечения прочной и надежной работы и быстрого переключения.
Корпус
крутизна характеристики, s80
максимальная рассеиваемая мощность pси макс..вт0.35
17
+
Бонус: 0.34 !
Бонусная программа
Итого: 17
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
N-канальный MOSFET в режиме улучшения, Fairchild Semiconductor Полевые транзисторы (FET) в режиме улучшения производятся с использованием запатентованной Fairchild, технологии DMOS с высокой плотностью ячеек. Этот процесс с высокой плотностью был разработан для минимизации сопротивления в открытом состоянии, обеспечения прочной и надежной работы и быстрого переключения.
Корпус
крутизна характеристики, s80
максимальная рассеиваемая мощность pси макс..вт0.35
максимальное напряжение сток-исток uси,в60
максимальное напряжение затвор-исток uзи макс.,в20
максимальный ток сток-исток при 25 с iси макс..а0.12
сопротивление канала в открытом состоянии rси вкл. (max) при id, rds (on)7.5 Ом/0.5А, 10В
Структураn-канал
вес, г0.05
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль