2N7002 TR PBFREE

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - SingleN-канал 60 В 115 мА (Tc) 350 мВт (Ta) SOT-23 для поверхностного монтажа
Вес и габариты
current - continuous drain (id) @ 25в°c115mA (Tc)
drain to source voltage (vdss)60V
drive voltage (max rds on, min rds on)5V, 10V
91
+
Бонус: 1.82 !
Бонусная программа
Итого: 91
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - SingleN-канал 60 В 115 мА (Tc) 350 мВт (Ta) SOT-23 для поверхностного монтажа
Вес и габариты
current - continuous drain (id) @ 25в°c115mA (Tc)
drain to source voltage (vdss)60V
drive voltage (max rds on, min rds on)5V, 10V
eccnEAR99
fet typeN-Channel
htsus8541.21.0095
id - непрерывный ток утечки300 mA
input capacitance (ciss) (max) @ vds50pF @ 25V
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-65В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
pd - рассеивание мощности500 mW
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
power dissipation (max)350mW (Ta)
qg - заряд затвора600 pC
размер фабричной упаковки3000
rds on (max) @ id, vgs7.5Ohm @ 500mA, 10V
rds вкл - сопротивление сток-исток3.7 Ohms
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
supplier device packageSOT-23
technologyMOSFET (Metal Oxide)
технологияSi
тип продуктаMOSFET
торговая маркаCentral Semiconductor
упаковка / блокSOT-23-3
vds - напряжение пробоя сток-исток60 V
vgs (max)40V
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs(th) (max) @ id2.5V @ 250ВµA
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.5 V
вид монтажаSMD/SMT
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль