2N7002-G, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 60 В, 115 мА, 7.5 Ом, SOT-23, Surface Mount
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:2N7002-G
Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты
МОП-транзистор 60V 7.5Ohm
Вес и габариты
длина
2.92 mm
Высота
0.93 мм
id - непрерывный ток утечки
115 mA
канальный режим
Enhancement
категория продукта
МОП-транзистор
количество каналов
1 Channel
конфигурация
Single
крутизна характеристики прямой передачи - мин.
80 mS
максимальная рабочая температура
+ 150 C
минимальная рабочая температура
55 C
pd - рассеивание мощности
360 mW
подкатегория
MOSFETs
полярность транзистора
N-Channel
продукт
MOSFET Small Signal
размер фабричной упаковки
3000
rds вкл - сопротивление сток-исток
7.5 Ohms
технология
Si
типичное время задержки при включении
20 ns
типичное время задержки выключения
20 ns
тип продукта
MOSFET
тип транзистора
1 N-Channel
торговая марка
Microchip Technology
Тип
FET
упаковка / блок
SOT-23-3
vds - напряжение пробоя сток-исток
60 V
вес, г
0.002
vgs - напряжение затвор-исток
20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
1 V
вид монтажа
SMD/SMT
Ширина
1.3 мм
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26