2N7000TA, MOSFET 60V N-Channel Sm Sig

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2N7000TA
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET Решения для управления питанием в облаке Решения для управления питанием в облаке onsemi повышают эффективность, упрощая конструкцию системы, уменьшая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию вырастет на 35–40%, онполу обеспечивает основные промышленные продукты низкой эффективностью, чтобы экономить энергию, которую мы используем каждый день.
Вес и габариты
channel mode:Enhancement
configuration:Single
factory pack quantity: factory pack quantity:2000
Цена по запросу
+
Бонус: 0 !
Бонусная программа
Итого: 0
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET Решения для управления питанием в облаке Решения для управления питанием в облаке onsemi повышают эффективность, упрощая конструкцию системы, уменьшая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию вырастет на 35–40%, онполу обеспечивает основные промышленные продукты низкой эффективностью, чтобы экономить энергию, которую мы используем каждый день.
Вес и габариты
channel mode:Enhancement
configuration:Single
factory pack quantity: factory pack quantity:2000
fall time:10 ns
forward transconductance - min:0.1 S
id - continuous drain current:200 mA
manufacturer:onsemi
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:Through Hole
number of channels:1 Channel
package/case:TO-92-3
packaging:Ammo Pack
pd - power dissipation:400 mW
product:MOSFET Small Signal
product category:MOSFET
product type:MOSFET
rds on - drain-source resistance:1.2 Ohms
rise time:10 ns
series:2N7000
subcategory:MOSFETs
technology:Si
transistor polarity:N-Channel
transistor type:1 N-Channel
type:MOSFET
typical turn-off delay time:10 ns
typical turn-on delay time:10 ns
vds - drain-source breakdown voltage:60 V
вес, г0.45
vgs - gate-source voltage:-20 V, +20 V
vgs th - gate-source threshold voltage:1 V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль