2N7000BU, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 60 В, 200 мА, 5 Ом, TO-226AA, Through Hole
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:2N7000BU
Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты
МОП-транзистор 60V N-Channel Sm Sig
Вес и габариты
длина
5.2 mm
другие названия товара №
2N7000BU_NL
Высота
5.33 мм
id - непрерывный ток утечки
200 mA
канальный режим
Enhancement
категория продукта
МОП-транзистор
количество каналов
1 Channel
конфигурация
Single
крутизна характеристики прямой передачи - мин.
0.1 S
максимальная рабочая температура
+ 150 C
минимальная рабочая температура
55 C
pd - рассеивание мощности
400 mW
подкатегория
MOSFETs
полярность транзистора
N-Channel
продукт
MOSFET Small Signal
размер фабричной упаковки
10000
rds вкл - сопротивление сток-исток
1.2 Ohms
серия
2N7000
технология
Si
типичное время задержки при включении
10 ns
типичное время задержки выключения
10 ns
тип продукта
MOSFET
тип транзистора
1 N-Channel
торговая марка
ON Semiconductor / Fairchild
Тип
MOSFET
упаковка
Bulk
упаковка / блок
TO-92-3
vds - напряжение пробоя сток-исток
60 V
вес, г
0.18
vgs - напряжение затвор-исток
20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
800 mV
вид монтажа
Through Hole
время нарастания
10 ns
время спада
10 ns
Ширина
4.19 мм
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26