2N7000-G, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 60 В, 200 мА, 5 Ом, TO-92, Through Hole
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: 2N7000-G
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыМОП-транзистор 60V 5Ohm
| Вес и габариты | |
| base product number | 2N7000 -> |
| current - continuous drain (id) @ 25в°c | 200mA (Tj) |
| длина | 5.21 mm |
| drain to source voltage (vdss) | 60V |
| drive voltage (max rds on, min rds on) | 4.5V, 10V |
| eccn | EAR99 |
| fet type | N-Channel |
| forward diode voltage | 0.85V |
| Высота | 5.33 мм |
| height | 5.33мм |
| htsus | 8541.29.0095 |
| id - непрерывный ток утечки | 200 mA |
| input capacitance (ciss) (max) @ vds | 60pF @ 25V |
| канальный режим | Enhancement |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| количество каналов | 1 Channel |
| конфигурация | Single |
| крутизна характеристики прямой передачи - мин. | 100 mmho |
| length | 5.08mm |
| максимальная рабочая температура | +150 °C |
| максимальное пороговое напряжение включения | 3V |
| maximum continuous drain current | 200 мА |
| maximum drain source resistance | 5.3 Ω |
| maximum drain source voltage | 60 В |
| maximum gate source voltage | 30 V |
| maximum power dissipation | 1 Вт |
| минимальная рабочая температура | -55 °C |
| minimum gate threshold voltage | 0.8V |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| mounting type | Through Hole |
| номер канала | Поднятие |
| number of elements per chip | 1 |
| operating temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| package | Bulk |
| package / case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| package type | TO-92 |
| pcn packaging | http://www.microchip.com/mymicrochip/NotificationD |
| pd - рассеивание мощности | 400 mW |
| pin count | 3 |
| подкатегория | MOSFETs |
| полярность транзистора | N-Channel |
| power dissipation (max) | 1W (Tc) |
| размер фабричной упаковки | 1000 |
| rds on (max) @ id, vgs | 5Ohm @ 500mA, 10V |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 5 Ohms |
| reach status | REACH Unaffected |
| rohs status | ROHS3 Compliant |
| series | 2N7000 |
| supplier device package | TO-92-3 |
| technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| технология | Si |
| тип канала | N |
| тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| тип продукта | MOSFET |
| тип транзистора | 1 N-Channel |
| торговая марка | Microchip Technology |
| transistor configuration | Одинарный |
| упаковка | Bulk |
| упаковка / блок | TO-92-3 |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| вес, г | 0.91 |
| vgs (max) | В±30V |
| vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| vgs(th) (max) @ id | 3V @ 1mA |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 800 mV |
| вид монтажа | Through Hole |
| Ширина | 4.06 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26