2N6660
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - SingleN-канал 60 В 410 мА (Ta) 6,25 Вт (Tc) сквозное отверстие TO-39
| Вес и габариты | |
| current - continuous drain (id) @ 25в°c | 410mA (Ta) |
| drain to source voltage (vdss) | 60V |
| drive voltage (max rds on, min rds on) | 5V, 10V |
| eccn | EAR99 |
| fet type | N-Channel |
| htsus | 8541.29.0095 |
| id - непрерывный ток утечки | 410 mA |
| input capacitance (ciss) (max) @ vds | 50pF @ 24V |
| канальный режим | Enhancement |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| количество каналов | 1 Channel |
| конфигурация | Single |
| крутизна характеристики прямой передачи - мин. | 170 mS |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| mounting type | Through Hole |
| operating temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| package | Bulk |
| package / case | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| pcn assembly/origin | http://www.microchip.com/mymicrochip/NotificationD |
| pcn design/specification | http://www.microchip.com/mymicrochip/NotificationD |
| pcn packaging | http://www.microchip.com/mymicrochip/NotificationD |
| pd - рассеивание мощности | 6.25 W |
| подкатегория | MOSFETs |
| полярность транзистора | N-Channel |
| power dissipation (max) | 6.25W (Tc) |
| размер фабричной упаковки | 500 |
| rds on (max) @ id, vgs | 3Ohm @ 1A, 10V |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 3 Ohms |
| reach status | REACH Unaffected |
| rohs status | RoHS non-compliant |
| supplier device package | TO-39 |
| technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| технология | Si |
| типичное время задержки при включении | 10 ns |
| типичное время задержки выключения | 10 ns |
| тип продукта | MOSFET |
| тип транзистора | 1 N-Channel |
| торговая марка | Microchip Technology |
| Тип | FET |
| упаковка | Bulk |
| упаковка / блок | TO-39-3 |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| vgs (max) | В±20V |
| vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| vgs(th) (max) @ id | 2V @ 1mA |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 800 mV |
| вид монтажа | Through Hole |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26