ZXTP5401ZTA, Diodes Incorporated

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: ZXTP5401ZTA
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes ZXTP5401ZTA, Diodes Incorporated
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
23
+
Бонус: 0.46 !
Бонусная программа
Итого: 23
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
collector- base voltage vcbo:160 V
collector-emitter saturation voltage:70 mV
collector- emitter voltage vceo max:150 V
configuration:Single
dc current gain hfe max:50 at 1 mA, 5 V
emitter- base voltage vebo:5 V
factory pack quantity: factory pack quantity:1000
gain bandwidth product ft:100 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Diodes Incorporated
maximum dc collector current:600 mA
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:SMD/SMT
package / case:SOT-89-3
партномер8004556827
pd - power dissipation:1.2 W
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
series:ZXTP5401
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:PNP
Время загрузки21:57:07
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль