ZXTP5401GTA, Транзистор PNP, биполярный, 150В, 600мА, 2Вт, SOT223

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: ZXTP5401GTA
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes ZXTP5401GTA, Транзистор PNP, биполярный ...
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.15
Высота1.65 mm
Высота 1.65 мм
Информация о производителе
270
+
Бонус: 5.4 !
Бонусная программа
Итого: 270
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы PNP SMDБиполярные транзисторы - BJT PNP 150V 2A
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.15
Высота1.65 mm
Высота 1.65 мм
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
automotiveNo
base product numberZXTP5401 ->
частота перехода ft100МГц
collector emitter voltage max150В
configurationSingle Dual Collector
continuous collector current600мА
current - collector cutoff (max)50nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)600mA
dc current gain hfe min50hFE
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce60 @ 10mA, 5V
dc усиление тока hfe50hFE
длина6.7 mm
eccnEAR99
eccn (us)EAR99
eu rohsCompliant with Exemption
frequency - transition100MHz
htsus8541.29.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.50
количество выводов3вывод(-ов)
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)50 at 1 mA, 5 V, 60 at 10 mA, 5 V, 50 at 50 mA,
конфигурацияSingle
квалификация-
lead shapeGull-wing
линейка продукции-
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора2 A
maximum base emitter saturation voltage (v)1 1mA 10mA|1 5mA 50mA
maximum collector base voltage (v)160
maximum collector-emitter saturation voltage (v)0.2 1mA 10mA|0.5 5mA 50mA
maximum collector-emitter voltage (v)150
maximum dc collector current (a)2
maximum emitter base voltage (v)5
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation (mw)2000
maximum transition frequency (mhz)100(Typ)
минимальная рабочая температура55 C
minimum dc current gain50 1mA 5V|60 10mA 5V|50 50mA 5V
minimum operating temperature (°c)-55
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
монтаж транзистораSurface Mount
mountingSurface Mount
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)160 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.150 V
number of elements per chip1
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-261-4, TO-261AA
packagingTape and Reel
партномер8002556543
part statusActive
pcb changed3
pd - рассеивание мощности2000 mW
pin count4
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
power dissipation2Вт
power - max2W
ppapNo
product categoryBipolar Power
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)100 MHz
размер фабричной упаковки1000
reach statusREACH Affected
rohs statusROHS3 Compliant
серияZXTP5401
standard package nameSOT
стиль корпуса транзистораSOT-223
supplier device packageSOT-223
supplier packageSOT-223
tabTab
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
transistor typePNP
typePNP
упаковка / блокSOT-223-4
vce saturation (max) @ ib, ic500mV @ 5mA, 50mA
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)150V
Время загрузки0:00:58
Ширина3.7 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль