- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT PNP 20V HIGH GAIN
Дата загрузки | 23.02.2024 |
Вес и габариты | |
Высота | 1 mm |
Высота | 1 мм |
Информация о производителе | |
Производитель | DIODES INC. |
Бренд | DIODES INC. |
Основные | |
automotive | No |
частота перехода ft | 290МГц |
collector- base voltage vcbo | -25 V |
collector-emitter saturation voltage | 60 mV |
collector emitter voltage max | 20В |
collector- emitter voltage vceo max | -20 V |
configuration | Single |
continuous collector current | -4 A |
dc collector/base gain hfe min | 20 at-10 A, -2 V |
dc current gain hfe max | 900 at-10 mA, -2 V |
dc current gain hfe min | 70hFE |
dc усиление тока hfe | 70hFE |
длина | 3.05 mm |
eccn (us) | EAR99 |
emitter- base voltage vebo | -7 V |
eu rohs | Compliant |
factory pack quantity | 3000 |
gain bandwidth product ft | 290 MHz |
категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс. | 900 at - 10 mA, - 2 V |
количество выводов | 3вывод(-ов) |
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 20 at - 10 A, - 2 V |
конфигурация | Single |
квалификация | - |
lead shape | Gull-wing |
линейка продукции | - |
максимальная рабочая температура | + 150 C |
максимальный постоянный ток коллектора | 4 A |
manufacturer | Diodes Incorporated |
maximum base emitter saturation voltage (v) | 1.05@400mA@4A |
maximum collector base voltage (v) | 25 |
maximum collector-emitter saturation voltage (v) | 0.18@400mA@4A|0.24@40mA@2A|0.06@100mA@1A|0.21@10mA@1A |
maximum collector-emitter voltage (v) | 20 |
maximum dc collector current | -4 A |
maximum dc collector current (a) | 4 |
maximum emitter base voltage (v) | 7 |
maximum operating temperature | +150 C |
maximum operating temperature (°c) | 150 |
maximum power dissipation (mw) | 1810 |
maximum transition frequency (mhz) | 290(Typ) |
military | No |
минимальная рабочая температура | 55 C |
minimum dc current gain | 300@10mA@2V|70@4A@2V|200@1A@2V |
minimum operating temperature | -55 C |
minimum operating temperature (°c) | -55 |
монтаж транзистора | Surface Mount |
mounting | Surface Mount |
mounting style | SMD/SMT |
напряжение эмиттер-база (vebo) | 7 V |
напряжение коллектор-база (vcbo) | 25 V |
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 20 V |
напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 60 mV |
непрерывный коллекторный ток | 4 A |
number of elements per chip | 1 |
package / case | SOT-23-3 |
package height | 1.02(Max) |
package length | 3.04(Max) |
package width | 1.4(Max) |
packaging | Tape and Reel |
партномер | 8007580541 |
part status | Active |
pcb changed | 3 |
pd - power dissipation | 1810 mW |
pd - рассеивание мощности | 1810 mW |
pin count | 3 |
подкатегория | Transistors |
полярность транзистора | PNP |
power dissipation | 1.81Вт |
product category | Bipolar Power |
product type | BJTs-Bipolar Transistors |
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft) | 290 MHz |
размер фабричной упаковки | 3000 |
series | ZXTP25020 |
серия | ZXTP25020 |
standard package name | SOT-23 |
стиль корпуса транзистора | SOT-23 |
subcategory | Transistors |
supplier package | SOT-23 |
технология | Si |
тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
торговая марка | Diodes Incorporated |
transistor polarity | PNP |
type | PNP |
упаковка / блок | SOT-23-3 |
вид монтажа | SMD/SMT |
Время загрузки | 0:00:01 |
Ширина | 1.4 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26