ZXTP25020DFHTA, Bipolar Transistors - BJT PNP 20V HIGH GAIN

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: ZXTP25020DFHTA
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes ZXTP25020DFHTA, Bipolar Transistors - BJT PNP ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.008
Высота1 mm
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
160
+
Бонус: 3.2 !
Бонусная программа
Итого: 160
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT PNP 20V HIGH GAIN
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.008
Высота1 mm
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
automotiveNo
частота перехода ft290МГц
collector- base voltage vcbo-25 V
collector-emitter saturation voltage60 mV
collector emitter voltage max20В
collector- emitter voltage vceo max-20 V
configurationSingle
continuous collector current-4 A
dc collector/base gain hfe min20 at-10 A, -2 V
dc current gain hfe max900 at-10 mA, -2 V
dc current gain hfe min70hFE
dc усиление тока hfe70hFE
длина3.05 mm
eccn (us)EAR99
emitter- base voltage vebo-7 V
eu rohsCompliant
factory pack quantity3000
gain bandwidth product ft290 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.900 at - 10 mA, - 2 V
количество выводов3вывод(-ов)
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)20 at - 10 A, - 2 V
конфигурацияSingle
квалификация-
lead shapeGull-wing
линейка продукции-
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора4 A
manufacturerDiodes Incorporated
maximum base emitter saturation voltage (v)1.05@400mA@4A
maximum collector base voltage (v)25
maximum collector-emitter saturation voltage (v)0.18@400mA@4A|0.24@40mA@2A|0.06@100mA@1A|0.21@10mA@1A
maximum collector-emitter voltage (v)20
maximum dc collector current-4 A
maximum dc collector current (a)4
maximum emitter base voltage (v)7
maximum operating temperature+150 C
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation (mw)1810
maximum transition frequency (mhz)290(Typ)
militaryNo
минимальная рабочая температура55 C
minimum dc current gain300@10mA@2V|70@4A@2V|200@1A@2V
minimum operating temperature-55 C
minimum operating temperature (°c)-55
монтаж транзистораSurface Mount
mountingSurface Mount
mounting styleSMD/SMT
напряжение эмиттер-база (vebo)7 V
напряжение коллектор-база (vcbo)25 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.20 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер60 mV
непрерывный коллекторный ток4 A
number of elements per chip1
package / caseSOT-23-3
package height1.02(Max)
package length3.04(Max)
package width1.4(Max)
packagingTape and Reel
партномер8005061282
part statusActive
pcb changed3
pd - power dissipation1810 mW
pd - рассеивание мощности1810 mW
pin count3
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
power dissipation1.81Вт
product categoryBipolar Power
product typeBJTs-Bipolar Transistors
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)290 MHz
размер фабричной упаковки3000
seriesZXTP25020
серияZXTP25020
standard package nameSOT-23
стиль корпуса транзистораSOT-23
subcategoryTransistors
supplier packageSOT-23
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
transistor polarityPNP
typePNP
упаковка / блокSOT-23-3
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки23:59:57
Ширина1.4 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль