ZXTP23140BFHTA, Bipolar Transistors - BJT PNP Medium Power

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: ZXTP23140BFHTA
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes ZXTP23140BFHTA, Bipolar Transistors - BJT PNP ...
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.01
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
250
+
Бонус: 5 !
Бонусная программа
Итого: 250
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.01
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
collector- base voltage vcbo:160 V
collector-emitter saturation voltage:190 mV
collector- emitter voltage vceo max:140 V
configuration:Single
emitter- base voltage vebo:7 V
factory pack quantity: factory pack quantity:3000
gain bandwidth product ft:130 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Diodes Incorporated
maximum dc collector current:2.5 A
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:SMD/SMT
package / case:SOT-23-3
партномер8005624848
pd - power dissipation:1.81 W
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
series:ZXTP23140
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:PNP
Время загрузки0:00:07
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль