ZXTP2041FTA, Bipolar Transistors - BJT PNP 40V 1A 3-PIN

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: ZXTP2041FTA
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes ZXTP2041FTA, Bipolar Transistors - BJT PNP ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.008
Высота1 mm
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
120
+
Бонус: 2.4 !
Бонусная программа
Итого: 120
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT PNP 40V 1A 3-PIN
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.008
Высота1 mm
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
automotiveNo
base product numberZXTP2041 ->
configurationSingle
current - collector cutoff (max)100nA
current - collector (ic) (max)1A
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce300 @ 100mA, 5V
длина2.9 mm
eccnEAR99
eccn (us)EAR99
eu rohsCompliant
frequency - transition150MHz
htsus8541.21.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.300 at 1 mA at 5 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)300 at 1 mA at 5 V, 300 at 100 mA at 5 V, 250 at 5
конфигурацияSingle
lead shapeGull-wing
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора1 A
materialSi
maximum base emitter saturation voltage (v)1.1@50mA@1A
maximum collector base voltage-40 V
maximum collector base voltage (v)40
maximum collector-emitter saturation voltage (v)0.2@1mA@100mA|0.3@20mA@500mA|0.5@100mA@1A
maximum collector emitter voltage40 V
maximum collector-emitter voltage (v)40
maximum dc collector current1 A
maximum dc collector current (a)1
maximum emitter base voltage-5 V
maximum emitter base voltage (v)7
maximum operating frequency300 MHz
maximum operating temperature+150 °C
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation350 mW
maximum power dissipation (mw)350
maximum transition frequency (mhz)150(Min)
минимальная рабочая температура55 C
minimum dc current gain300
minimum operating temperature (°c)-55
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mountingSurface Mount
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)40 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.40 V
number of elements per chip1
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
package typeSOT-23
packagingTape and Reel
партномер8004701938
part statusActive
pcb changed3
pd - рассеивание мощности350 mW
pin count3
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
power - max350mW
ppapNo
product categoryBipolar Power
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)150 MHz
размер фабричной упаковки3000
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
серияZXTP20
standard package nameSOT
supplier device packageSOT-23-3
supplier packageSOT-23
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
transistor configurationSingle
transistor typePNP
typePNP
упаковка / блокSOT-23-3
vce saturation (max) @ ib, ic500mV @ 100mA, 1A
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)40V
Время загрузки22:25:28
Ширина1.3 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль