ZXTP2029FTA

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes ZXTP2029FTA
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.01
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
87
+
Бонус: 1.74 !
Бонусная программа
Итого: 87
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.01
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
collector- base voltage vcbo:130 V
collector-emitter saturation voltage:135 mV
collector- emitter voltage vceo max:100 V
configuration:Single
emitter- base voltage vebo:7 V
factory pack quantity: factory pack quantity:3000
gain bandwidth product ft:150 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Diodes Incorporated
maximum collector base voltage130 V
maximum collector emitter voltage-100 V
maximum dc collector current-3 A
maximum dc collector current:3 A
maximum emitter base voltage7 V
maximum operating frequency150 MHz
maximum operating temperature+150 °C
maximum operating temperature:+150 C
maximum power dissipation1.56 W
minimum dc current gain100
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:SMD/SMT
mounting typeSurface Mount
number of elements per chip1
package / case:SOT-23-3
package typeSOT-23
партномер8024053570
pd - power dissipation:1.56 W
pin count3
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
series:ZXTP2029
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor configurationSingle
transistor polarity:PNP
transistor typePNP
Время загрузки22:27:14
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль