ZXTP2025FTA, Транзистор: PNP

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: ZXTP2025FTA
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes ZXTP2025FTA, Транзистор: PNP
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.2
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
300
+
Бонус: 6 !
Бонусная программа
Итого: 300
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.2
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
collector- base voltage vcbo:50 V
collector-emitter saturation voltage:150 mV
collector- emitter voltage vceo max:50 V
configuration:Single
dc current gain hfe max:180 at 10 mA, 2 V
emitter- base voltage vebo:7 V
factory pack quantity: factory pack quantity:3000
gain bandwidth product ft:190 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Diodes Incorporated
maximum dc collector current:5 A
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:SMD/SMT
package/case:SOT-23-3
партномер8013008571
pd - power dissipation:1.56 W
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
series:ZXTP2025
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:PNP
Время загрузки0:00:51
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль