ZXTP2014ZTA, Биполярный транзистор, PNP, 140 В, 3 А, 2.1 Вт, SOT-89, Surface Mount

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: ZXTP2014ZTA
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes ZXTP2014ZTA, Биполярный транзистор, PNP ...
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Высота1.6 mm (Max)
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
210
+
Бонус: 4.2 !
Бонусная программа
Итого: 210
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJTБиполярные транзисторы - BJT 140V PNP Low Sat
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Высота1.6 mm (Max)
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
base product numberZXTP2014 ->
частота перехода ft120МГц
collector emitter voltage max140В
continuous collector current
current - collector cutoff (max)20nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)3A
dc current gain hfe min45hFE
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce100 @ 1A, 5V
dc усиление тока hfe45hFE
длина4.6 mm (Max)
eccnEAR99
frequency - transition120MHz
htsus8541.29.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
количество выводов3вывод(-ов)
конфигурацияSingle
квалификация-
линейка продукции-
максимальная рабочая температура150°C
максимальный постоянный ток коллектора3 A
минимальная рабочая температура55 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
монтаж транзистораSurface Mount
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)7 V
напряжение коллектор-база (vcbo)180 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.140 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер255 mV
непрерывный коллекторный ток3 A
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-243AA
партномер8016498470
pd - рассеивание мощности2100 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
power dissipation02.01.2024
power - max2.1W
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)120 MHz
размер фабричной упаковки1000
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
серияZXTP2014
стиль корпуса транзистораSOT-89
supplier device packageSOT-89-3
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
transistor typePNP
упаковка / блокSOT-89-3
vce saturation (max) @ ib, ic330mV @ 300mA, 3A
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)140V
Время загрузки0:00:52
Ширина2.6 м
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль