ZXTP2014GTA, Bipolar Transistors - BJT 140V PNP Hi Voltage

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: ZXTP2014GTA
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes ZXTP2014GTA, Bipolar Transistors - BJT 140V ...
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.112
Высота1.65 mm (Max)
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
160
+
Бонус: 3.2 !
Бонусная программа
Итого: 160
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT 140V PNP Hi Voltage
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.112
Высота1.65 mm (Max)
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
collector-emitter breakdown voltage140V
длина6.7 mm (Max)
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора4 A
maximum dc collector current4A
минимальная рабочая температура55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)7 V
напряжение коллектор-база (vcbo)180 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.140 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер275 mV
непрерывный коллекторный ток4 A
партномер8004842117
pd - power dissipation3W
pd - рассеивание мощности3 W
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)120 MHz
размер фабричной упаковки1000
серияZXTP201
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
transistor typePNP
упаковка / блокSOT-223-4
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки0:00:55
Ширина3.7 м
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль