ZXTP2014GTA, Bipolar Transistors - BJT 140V PNP Hi Voltage
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:ZXTP2014GTA
Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT 140V PNP Hi Voltage
Дата загрузки
23.02.2024
Вес и габариты
вес, г
0.112
Высота
1.65 mm (Max)
Информация о производителе
Производитель
DIODES INC.
Бренд
DIODES INC.
Основные
collector-emitter breakdown voltage
140V
длина
6.7 mm (Max)
категория
Электронные компоненты/Транзисторы
категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
конфигурация
Single
максимальная рабочая температура
+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора
4 A
maximum dc collector current
4A
минимальная рабочая температура
55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)
7 V
напряжение коллектор-база (vcbo)
180 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.
140 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер
275 mV
непрерывный коллекторный ток
4 A
партномер
8004842117
pd - power dissipation
3W
pd - рассеивание мощности
3 W
подкатегория
Transistors
полярность транзистора
PNP
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)
120 MHz
размер фабричной упаковки
1000
серия
ZXTP201
тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка
Diodes Incorporated
transistor type
PNP
упаковка / блок
SOT-223-4
вид монтажа
SMD/SMT
Время загрузки
0:00:55
Ширина
3.7 м
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26