ZXTP2013ZTA

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes ZXTP2013ZTA
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.052
Высота1.6 mm
Высота 1.6 мм
Информация о производителе
300
+
Бонус: 6 !
Бонусная программа
Итого: 300
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT 100V PNP Low Sat
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.052
Высота1.6 mm
Высота 1.6 мм
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
длина4.6 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора3.5 A
минимальная рабочая температура55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)7 V
напряжение коллектор-база (vcbo)140 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.100 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер240 mV
непрерывный коллекторный ток3.5 A
партномер9001317649
pd - рассеивание мощности2100 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)125 MHz
размер фабричной упаковки1000
серияZXTP201
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
упаковка / блокSOT-89-3
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки23:57:57
Ширина2.6 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль