ZXTP2013ZTA, Trans GP BJT PNP 100V 3.5A 2100mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:ZXTP2013ZTA
Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT 100V PNP Low Sat
Дата загрузки
22.02.2024
Вес и габариты
вес, г
1
Высота
1.6 mm
Информация о производителе
Производитель
DIODES INC.
Бренд
DIODES INC.
Основные
длина
4.6 mm
категория
Электронные компоненты/Транзисторы
категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
конфигурация
Single
максимальная рабочая температура
+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора
3.5 A
минимальная рабочая температура
55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)
7 V
напряжение коллектор-база (vcbo)
140 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.
100 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер
240 mV
непрерывный коллекторный ток
3.5 A
партномер
8001453922
pd - рассеивание мощности
2100 mW
подкатегория
Transistors
полярность транзистора
PNP
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)
125 MHz
размер фабричной упаковки
1000
серия
ZXTP201
технология
Si
тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка
Diodes Incorporated
упаковка / блок
SOT-89-3
вид монтажа
SMD/SMT
Время загрузки
22:27:16
Ширина
2.6 мм
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26