ZXTP2013GTA, Bipolar Transistors - BJT 100V PNP Med Power

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: ZXTP2013GTA
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes ZXTP2013GTA, Bipolar Transistors - BJT 100V ...
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.112
Высота1.65 mm (Max)
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
250
+
Бонус: 5 !
Бонусная программа
Итого: 250
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT 100V PNP Med Power
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.112
Высота1.65 mm (Max)
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
automotiveNo
base product numberZXTP2013 ->
configurationSingle Dual Collector
current - collector cutoff (max)20nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)5A
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce100 @ 1A, 1V
длина6.7 mm (Max)
eccnEAR99
eccn (us)EAR99
eu rohsCompliant with Exemption
frequency - transition125MHz
htsus8541.29.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
конфигурацияSingle
lead shapeGull-wing
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора5 A
maximum base emitter saturation voltage (v)1.1 400mA 4A
maximum collector base voltage (v)140
maximum collector-emitter voltage (v)100
maximum dc collector current (a)5
maximum emitter base voltage (v)7
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation (mw)3000
maximum transition frequency (mhz)125(Typ)
минимальная рабочая температура55 C
minimum dc current gain100 10mA 1V|100 1A 1V|25 3A 1V|15 4A 1V
minimum operating temperature (°c)-55
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mountingSurface Mount
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)7 V
напряжение коллектор-база (vcbo)140 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.100 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер240 mV
непрерывный коллекторный ток5 A
number of elements per chip1
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-261-4, TO-261AA
packagingTape and Reel
партномер8005537738
part statusActive
pcb changed3
pd - рассеивание мощности3 W
pin count4
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
power - max3W
ppapNo
product categoryBipolar Power
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)125 MHz
размер фабричной упаковки1000
reach statusREACH Affected
rohs statusROHS3 Compliant
серияZXTP201
standard package nameSOT
supplier device packageSOT-223
supplier packageSOT-223
tabTab
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
transistor typePNP
typePNP
упаковка / блокSOT-223-4
vce saturation (max) @ ib, ic340mV @ 400mA, 4A
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)100V
Время загрузки0:00:55
Ширина3.7 м
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль