ZXTP2012GTA, Package/Enclosure SOT223

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: ZXTP2012GTA
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes ZXTP2012GTA, Package/Enclosure SOT223
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Высота1.65 mm (Max)
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
99
+
Бонус: 1.98 !
Бонусная программа
Итого: 99
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJTБиполярные транзисторы - BJT 60V PNP Low Sat
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Высота1.65 mm (Max)
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
длина6.7 mm (Max)
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора5.5 A
минимальная рабочая температура55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)7 V
напряжение коллектор-база (vcbo)100 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.60 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер195 mV
непрерывный коллекторный ток5.5 A
партномер8003462843
pd - рассеивание мощности3 W
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)120 MHz
размер фабричной упаковки1000
серияZXTP2012
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
упаковка / блокSOT-223-4
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки22:27:18
Ширина3.7 м
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль