Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT PNP 60V 3.5A 3-PIN

Подробное описание

Вес и габариты
длина	4.77 mm
Высота	4.01 мм
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT

Все характеристики

300 ₽

– +

Бонус: 6 !

Бонусная программа

Итого: 300 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Вес и габариты
длина	4.77 mm
Высота	4.01 мм
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.	100 at 10 mA, 1 V
конфигурация	Single
максимальная рабочая температура	+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора	3.5 A
минимальная рабочая температура	55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)	7 V
напряжение коллектор-база (vcbo)	100 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	60 V
pd - рассеивание мощности	1000 mW
подкатегория	Transistors
полярность транзистора	PNP
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)	120 MHz
размер фабричной упаковки	2000
серия	ZXTP20
технология	Si
тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка	Diodes Incorporated
упаковка	Ammo Pack
упаковка / блок	TO-92-3
вид монтажа	Through Hole
Ширина	2.41 мм

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

ZXTP2012ASTZ