ZXTP2012ASTZ, Bipolar Transistors - BJT PNP 60V 3.5A 3-PIN

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: ZXTP2012ASTZ
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes ZXTP2012ASTZ, Bipolar Transistors - BJT PNP ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Высота4.01 mm
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
280
+
Бонус: 5.6 !
Бонусная программа
Итого: 280
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT PNP 60V 3.5A 3-PIN
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Высота4.01 mm
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
частота перехода ft120МГц
collector emitter voltage max60В
continuous collector current3.5А
dc current gain hfe min65hFE
dc усиление тока hfe65hFE
длина4.77 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.100 at 10 mA, 1 V
количество выводов3вывод(-ов)
конфигурацияSingle
квалификация-
линейка продукции-
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора3.5 A
минимальная рабочая температура55 C
монтаж транзистораThrough Hole
напряжение эмиттер-база (vebo)7 V
напряжение коллектор-база (vcbo)100 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.60 V
партномер8005061275
pd - рассеивание мощности1000 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
power dissipation1Вт
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)120 MHz
размер фабричной упаковки2000
серияZXTP20
стиль корпуса транзистораE-Line
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
упаковкаAmmo Pack
упаковка / блокTO-92-3
вид монтажаThrough Hole
Время загрузки23:59:07
Ширина2.41 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль