ZXTP2009ZTA, Активные электронные компоненты TO243

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: ZXTP2009ZTA
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes ZXTP2009ZTA, Активные электронные компоненты TO243
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.05
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
230
+
Бонус: 4.6 !
Бонусная программа
Итого: 230
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.05
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продукта:Биполярные транзисторы-BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.:300
конфигурация:Single
максимальная рабочая температура:+150 C
максимальный постоянный ток коллектора:-5.5 A
maximum collector base voltage-50 V
maximum collector emitter voltage40 V
maximum dc collector current5.5 A
maximum emitter base voltage-7.5 V
maximum operating frequency152 MHz
maximum operating temperature+150 °C
maximum power dissipation3 W
минимальная рабочая температура:-55 C
minimum dc current gain200
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo):-7.5 V
напряжение коллектор-база (vcbo):-50 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.:-40 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер:-162 mV
непрерывный коллекторный ток:-5.5 A
number of elements per chip1
package typeSOT-89
партномер8017564555
pd - рассеивание мощности:3 W
pin count3
подкатегория:Transistors
полярность транзистора:PNP
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft):152 MHz
производитель:Diodes Incorporated
размер фабричной упаковки: размер фабричной упаковки:1000
серия:ZXTP200
технология:Si
тип продукта:BJTs-Bipolar Transistors
торговая марка:Diodes Incorporated
transistor configurationSingle
transistor typePNP
упаковка / блок:SOT-89-3
вид монтажа:SMD/SMT
Время загрузки23:59:07
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль