ZXTP2008ZTA

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes ZXTP2008ZTA
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Высота1.6 mm (Max)
Высота 1.6 м
Информация о производителе
280
+
Бонус: 5.6 !
Бонусная программа
Итого: 280
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - SingleБиполярный (BJT) транзистор PNP 30V 5.5A 110MHz 2.1W Surface Mount SOT-89-3
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Высота1.6 mm (Max)
Высота 1.6 м
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
automotiveNo
base product numberZXTP2008 ->
collector-emitter breakdown voltage30V
configurationSingle Dual Collector
current - collector cutoff (max)20nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)5.5A
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce100 @ 1A, 1V
длина4.6 mm (Max)
eccnEAR99
eccn (us)EAR99
eu rohsCompliant with Exemption
frequency - transition110MHz
htsus8541.29.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.300
конфигурацияSingle
lead shapeFlat
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора5.5 A
maximum base emitter saturation voltage (v)1.07 500mA 5.5A
maximum collector base voltage-50 V
maximum collector base voltage (v)50
maximum collector emitter voltage30 V
maximum collector-emitter voltage (v)30
maximum dc collector current5.5A
maximum dc collector current (a)05.05.2024
maximum emitter base voltage-7 V
maximum emitter base voltage (v)7
maximum operating frequency110 MHz
maximum operating temperature+150 °C
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation2.1 W
maximum power dissipation (mw)2100
maximum transition frequency (mhz)110(Typ)
минимальная рабочая температура55 C
minimum dc current gain100 10mA 1V|100 1A 1V|70 5A 1V|10 20A 1V
minimum operating temperature (°c)-55
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mountingSurface Mount
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)7 V
напряжение коллектор-база (vcbo)30 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.30 V
number of elements per chip1
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-243AA
package typeSOT-89
packagingTape and Reel
партномер8006667143
part statusActive
pcb changed3
pd - power dissipation2.1W
pd - рассеивание мощности2100 mW
pin count4
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
power - max2.1W
ppapNo
product categoryBipolar Power
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)110 MHz
размер фабричной упаковки1000
reach statusREACH Affected
rohs statusROHS3 Compliant
серияZXTP2008
standard package nameSOT
supplier device packageSOT-89-3
supplier packageSOT-89
tabTab
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
transistor configurationSingle
transistor typePNP
typePNP
упаковка / блокSOT-89-3
vce saturation (max) @ ib, ic175mV @ 500mA, 5.5A
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)30V
Время загрузки23:59:13
Ширина2.6 м
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль