ZXTP2008GTA

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT 30V PNP Low Sat
Вес и габариты
automotiveNo
base product numberZXTP2008 ->
configurationSingle Dual Collector
210
+
Бонус: 4.2 !
Бонусная программа
Итого: 210
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT 30V PNP Low Sat
Вес и габариты
automotiveNo
base product numberZXTP2008 ->
configurationSingle Dual Collector
current - collector cutoff (max)20nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)5.5A
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce100 @ 1A, 1V
длина6.7 mm
eccnEAR99
eccn (us)ear99
eu rohsCompliant with Exemption
frequency - transition110MHz
Высота 1.65 мм
hts8541.29.00.75
htsus8541.29.0075
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.300
конфигурацияSingle
lead shapeGull-wing
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора5.5 A
maximum base emitter saturation voltage (v)1.13@500mA@5.5A
maximum collector base voltage (v)50
maximum collector-emitter saturation voltage (v)0.21@500mA@5.5A|0.045@20mA@0.5A|0.06@100mA@1A|0.09@200mA@2A|0.085@20mA@1A
maximum collector-emitter voltage (v)30
maximum dc collector current (a)5.5
maximum emitter base voltage (v)7
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation (mw)3000
maximum transition frequency (mhz)110(Typ)
militaryNo
минимальная рабочая температура55 C
minimum dc current gain70@5A@1V|10@20A@1V|100@10mA@1V|100@1A@1V
minimum operating temperature (°c)-55
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mountingsurface mount
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)7 V
напряжение коллектор-база (vcbo)50 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.30 V
непрерывный коллекторный ток5.5 A
number of elements per chip1
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-261-4, TO-261AA
package height1.6
package length6.5
package width3.5
packagingTape and Reel
part statusactive
pcb changed3
pd - рассеивание мощности3 W
pin count4
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
power - max3W
product categoryBipolar Power
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)110 MHz
размер фабричной упаковки1000
reach statusREACH Affected
rohs statusROHS3 Compliant
серияZXTP2008
standard package nameSOT
supplier device packageSOT-223
supplier packageSOT-223
supplier temperature gradeAutomotive
tabTab
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
transistor typePNP
typePNP
упаковка / блокSOT-223-4
vce saturation (max) @ ib, ic210mV @ 500mA, 5.5A
вес, г0.112
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)30V
Ширина3.7 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль