Name: ZXTP2006E6TA, Bipolar Transistors - BJT 20V PNP Low Sat
Brand: DIODES INC.
SKU: ZXTP2006E6TA

Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes ZXTP2006E6TA, Bipolar Transistors - BJT 20V ...

Подробное описание

190 ₽

– +

Бонус: 3.8 !

Бонусная программа

Итого: 190 ₽

Купить

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Дата загрузки	22.02.2024
Вес и габариты
вес, г	0.01
Информация о производителе
Производитель	DIODES INC.
Бренд	DIODES INC.
Основные
collector- base voltage vcbo:	25 V
collector-emitter saturation voltage:	110 mV
collector- emitter voltage vceo max:	20 V
configuration:	Single
continuous collector current:	-3.5 A
dc collector/base gain hfe min:	300
dc current gain hfe max:	900
emitter- base voltage vebo:	7.5 V
factory pack quantity: factory pack quantity:	3000
gain bandwidth product ft:	110 MHz
категория	Электронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:	Diodes Incorporated
maximum dc collector current:	3.5 A
maximum operating temperature:	+150 C
minimum operating temperature:	-55 C
mounting style:	SMD/SMT
package / case:	SOT-23-6
партномер	8004842111
pd - power dissipation:	1.7 W
product category:	Bipolar Transistors-BJT
product type:	BJTs-Bipolar Transistors
series:	ZXTP200
subcategory:	Transistors
technology:	Si
transistor polarity:	PNP
Время загрузки	23:59:16

Отзывов нет

Кнопки

Теги: