ZXTP19100CZTA, Bipolar Transistors - BJT PNP 100V 2A

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: ZXTP19100CZTA
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes ZXTP19100CZTA, Bipolar Transistors - BJT PNP ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.05
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
230
+
Бонус: 4.6 !
Бонусная программа
Итого: 230
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.05
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
collector- base voltage vcbo:110 V
collector-emitter saturation voltage:220 mV
collector- emitter voltage vceo max:100 V
configuration:Single
dc collector/base gain hfe min:200 at 100 mA, 2 V, 70 at 1 A, 2 V, 20 at 2 A, 2 V
dc current gain hfe max:200
emitter- base voltage vebo:7 V
factory pack quantity: factory pack quantity:1000
gain bandwidth product ft:142 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Diodes Incorporated
maximum dc collector current:2 A
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:SMD/SMT
package / case:SOT-89-3
партномер8004613656
pd - power dissipation:4.46 W
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
series:ZXTP191
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:PNP
Время загрузки23:59:19
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль