ZXTP19100CGTA

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes ZXTP19100CGTA
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
Высота1.65 mm
Высота 1.65 мм
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
260
+
Бонус: 5.2 !
Бонусная программа
Итого: 260
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - Bipolar (BJT) - SingleБиполярный (BJT) транзистор PNP 100V 2A 142MHz 3W Surface Mount SOT-223
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
Высота1.65 mm
Высота 1.65 мм
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
automotiveNo
base product numberZXTP19100C ->
configurationSingle Dual Collector
current - collector cutoff (max)50nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)2A
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce200 @ 100mA, 2V
длина6.7 mm
eccnEAR99
eccn (us)EAR99
eu rohsCompliant with Exemption
frequency - transition142MHz
htsus8541.29.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.500 at - 100 mA, -2 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)20 at - 2 A, - 2 V
конфигурацияSingle
lead shapeGull-wing
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора2 A
maximum base emitter saturation voltage (v)1@200mA@2A
maximum collector base voltage-110 V
maximum collector base voltage (v)110
maximum collector cut-off current (na)50
maximum collector emitter voltage-100 V
maximum collector-emitter voltage (v)100
maximum dc collector current-2 A
maximum dc collector current (a)2
maximum emitter base voltage-7 V
maximum emitter base voltage (v)7
maximum operating frequency142 MHz
maximum operating temperature+150 °C
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation10.2 W
maximum power dissipation (mw)5300
maximum transition frequency (mhz)142(Typ)
минимальная рабочая температура55 C
minimum dc current gain200@100mA@2V|70@1A@2V|20@2A@2V
minimum operating temperature (°c)-55
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mountingSurface Mount
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)7 V
напряжение коллектор-база (vcbo)110 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.100 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер130 mV
непрерывный коллекторный ток2 A
number of elements per chip1
operating junction temperature (°c)-55 to 150
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-261-4, TO-261AA
package typeSOT-223(SC-73)
packagingTape and Reel
партномер8006762982
part statusActive
pcb changed3
pd - рассеивание мощности5300 mW
pin count4
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
power - max3W
ppapNo
product categoryBipolar Power
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)142 MHz
размер фабричной упаковки1000
reach statusREACH Affected
rohs statusROHS3 Compliant
серияZXTP191
standard package nameSOT
supplier device packageSOT-223
supplier packageSOT-223
tabTab
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
transistor configurationSingle
transistor typePNP
typePNP
упаковка / блокSOT-223-4
vce saturation (max) @ ib, ic295mV @ 200mA, 2A
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)100V
Время загрузки23:59:19
Ширина3.7 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль