ZXTN618MATA, Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transistor U-DFN2020-3 T&R 3K

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: ZXTN618MATA
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes ZXTN618MATA, Bipolar Transistors - BJT SS Low ...
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г30
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
160
+
Бонус: 3.2 !
Бонусная программа
Итого: 160
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г30
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
collector- base voltage vcbo:40 V
collector-emitter saturation voltage:210 mV
collector- emitter voltage vceo max:20 V
configuration:Single
continuous collector current:5 A
emitter- base voltage vebo:7 V
factory pack quantity: factory pack quantity:3000
gain bandwidth product ft:140 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Diodes Incorporated
maximum dc collector current:4.5 A
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:SMD/SMT
package / case:DFN2020B-3
партномер8005475461
pd - power dissipation:1.5 W
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
series:ZXTN618
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:NPN
Время загрузки0:00:41
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль