ZXTN617MATA
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT BIPOLAR TRANSISTOR NPN
| Вес и габариты | |
| automotive | No |
| configuration | Single |
| eccn (us) | EAR99 |
| eu rohs | Compliant |
| hts | 8541.29.00.75 |
| категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| конфигурация | Single |
| lead shape | No Lead |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| максимальный постоянный ток коллектора | 5 A |
| maximum base emitter saturation voltage (v) | 1.05@50mA@4.5A |
| maximum collector base voltage (v) | 40 |
| maximum collector-emitter saturation voltage (v) | 0.014@10mA@0.1A|0.1@10mA@1A|0.31@50mA@4.5A|0.2@50mA@3A |
| maximum collector-emitter voltage (v) | 15 |
| maximum dc collector current (a) | 5 |
| maximum emitter base voltage (v) | 7 |
| maximum operating temperature (°c) | 150 |
| maximum power dissipation (mw) | 2450 |
| maximum transition frequency (mhz) | 120(Typ) |
| military | No |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| minimum dc current gain | 200@10mA@2V|300@200mA@2V|200@3A@2V|150@5A@2V |
| minimum operating temperature (°c) | -55 |
| mounting | Surface Mount |
| напряжение эмиттер-база (vebo) | 7 V |
| напряжение коллектор-база (vcbo) | 40 V |
| напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 15 V |
| напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 200 mV |
| непрерывный коллекторный ток | 4.5 A |
| number of elements per chip | 1 |
| package height | 0.58 |
| package length | 2 |
| package width | 2 |
| packaging | Tape and Reel |
| part status | Active |
| pcb changed | 3 |
| pd - рассеивание мощности | 1.5 W |
| pin count | 3 |
| подкатегория | Transistors |
| полярность транзистора | NPN |
| product category | Bipolar Power |
| произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft) | 120 MHz |
| размер фабричной упаковки | 3000 |
| серия | ZXTN617 |
| standard package name | DFN |
| supplier package | DFN EP |
| тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| торговая марка | Diodes Incorporated |
| type | NPN |
| упаковка / блок | DFN2020B-3 |
| вид монтажа | SMD/SMT |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26