Name: ZXTN5551FLTA, Bipolar Transistors - BJT NPN 160V 0.6A
Brand: DIODES INC.
SKU: ZXTN5551FLTA

Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes ZXTN5551FLTA, Bipolar Transistors - BJT NPN ...

Подробное описание

70 ₽

– +

Бонус: 1.4 !

Бонусная программа

Итого: 70 ₽

Купить

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Дата загрузки	22.02.2024
Вес и габариты
вес, г	0.01
Информация о производителе
Производитель	DIODES INC.
Бренд	DIODES INC.
Основные
collector- base voltage vcbo:	180 V
collector-emitter saturation voltage:	115 mV
collector- emitter voltage vceo max:	160 V
configuration:	Single
dc current gain hfe max:	80 at 1 mA, 5 V
emitter- base voltage vebo:	6 V
factory pack quantity: factory pack quantity:	3000
gain bandwidth product ft:	130 MHz
категория	Электронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:	Diodes Incorporated
maximum dc collector current:	600 mA
maximum operating temperature:	+150 C
minimum operating temperature:	-55 C
mounting style:	SMD/SMT
package / case:	SOT-23-3
партномер	8004613653
pd - power dissipation:	330 mW
product category:	Bipolar Transistors-BJT
product type:	BJTs-Bipolar Transistors
series:	ZXTN555
subcategory:	Transistors
technology:	Si
transistor polarity:	NPN
Время загрузки	21:57:21

Отзывов нет

Кнопки

Теги: