ZXTN25100DGQTA, Bipolar Transistors - BJT 100V NPN High Gain 180V 85mOhm
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:ZXTN25100DGQTA
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты
Дата загрузки
23.02.2024
Вес и габариты
вес, г
1
Информация о производителе
Производитель
DIODES INC.
Бренд
DIODES INC.
Основные
частота перехода ft
175МГц
collector emitter voltage max
100В
continuous collector current
3А
dc current gain hfe min
10hFE
dc усиление тока hfe
10hFE
категория
Электронные компоненты/Транзисторы
количество выводов
3вывод(-ов)
квалификация
AEC-Q101
линейка продукции
-
максимальная рабочая температура
150°C
монтаж транзистора
Surface Mount
партномер
8005475459
полярность транзистора
NPN
power dissipation
05.03.2024
стиль корпуса транзистора
SOT-223
Время загрузки
0:00:47
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26