ZXTN25100DGQTA, Bipolar Transistors - BJT 100V NPN High Gain 180V 85mOhm

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: ZXTN25100DGQTA
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes ZXTN25100DGQTA, Bipolar Transistors - BJT ...
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
250
+
Бонус: 5 !
Бонусная программа
Итого: 250
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
частота перехода ft175МГц
collector emitter voltage max100В
continuous collector current
dc current gain hfe min10hFE
dc усиление тока hfe10hFE
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
количество выводов3вывод(-ов)
квалификацияAEC-Q101
линейка продукции-
максимальная рабочая температура150°C
монтаж транзистораSurface Mount
партномер8005475459
полярность транзистораNPN
power dissipation05.03.2024
стиль корпуса транзистораSOT-223
Время загрузки0:00:47
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль