Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы биполярные\Транзисторы биполярные одинарные\Транзисторы NPN SMDБиполярные транзисторы - BJT NPN 100V HIGH GAIN
Дата загрузки
22.02.2024
Вес и габариты
вес, г
0.008
Высота
1 mm
Высота
1 мм
Информация о производителе
Производитель
DIODES INC.
Бренд
DIODES INC.
Основные
collector-emitter breakdown voltage
100V
длина
3.05 mm
категория
Электронные компоненты/Транзисторы
категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.
300 at 10 mA at 2 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
120
конфигурация
Single
максимальная рабочая температура
+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора
2.5 A
maximum dc collector current
2.5A
минимальная рабочая температура
55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)
7 V
напряжение коллектор-база (vcbo)
180 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.
100 V
партномер
8002635083
pd - power dissipation
1.25W
pd - рассеивание мощности
1810 mW
подкатегория
Transistors
полярность транзистора
NPN
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)
175 MHz
размер фабричной упаковки
3000
серия
ZXTN25100
тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка
Diodes Incorporated
transistor type
NPN
упаковка / блок
SOT-23-3
вид монтажа
SMD/SMT
Время загрузки
23:59:37
Ширина
1.4 мм
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26