ZXTN25100DFHTA, Package/Enclosure SOT233

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: ZXTN25100DFHTA
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes ZXTN25100DFHTA, Package/Enclosure SOT233
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Высота1 mm
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
75
+
Бонус: 1.5 !
Бонусная программа
Итого: 75
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJTБиполярные транзисторы - BJT NPN 100V HIGH GAIN
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Высота1 mm
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
collector-emitter breakdown voltage100V
длина3.05 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.300 at 10 mA at 2 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)120
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора2.5 A
maximum dc collector current2.5A
минимальная рабочая температура55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)7 V
напряжение коллектор-база (vcbo)180 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.100 V
партномер8003466619
pd - power dissipation1.25W
pd - рассеивание мощности1810 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)175 MHz
размер фабричной упаковки3000
серияZXTN25100
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
transistor typeNPN
упаковка / блокSOT-23-3
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки22:26:15
Ширина1.4 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль