ZXTN25100BFH

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes ZXTN25100BFH
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.05
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
160
+
Бонус: 3.2 !
Бонусная программа
Итого: 160
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
ЭлектроэлементPOWER BIPOLAR TRANSISTOR, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-ELEMENT, NPN, SILICON, PLASTIC/EPOXY, 3 PIN
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.05
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
collector- base voltage vcbo170 V
collector- emitter voltage vceo max100 V
configurationSingle
emitter- base voltage vebo7 V
factory pack quantity3000
gain bandwidth product ft160 MHz
height1 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
length3.05 mm
manufacturerDiodes Incorporated
maximum dc collector current3 A
maximum operating temperature+150 C
minimum operating temperature-55 C
mounting styleSMD/SMT
package / caseSOT-23-3
packagingReel
партномер8002007570
pd - power dissipation1810 mW
product categoryBipolar Transistors-BJT
rohsDetails
seriesZXTN25100
transistor polarityNPN
Время загрузки0:10:12
width1.4 mm
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль