Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT NPN 60V 5A

Подробное описание

Вес и габариты
collector-emitter breakdown voltage	60V
длина	4.6 mm (Max)
Высота	1.6 м

61 ₽

– +

Бонус: 1.22 !

Бонусная программа

Итого: 61 ₽

Купить

Вес и габариты
collector-emitter breakdown voltage	60V
длина	4.6 mm (Max)
Высота	1.6 м
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
конфигурация	Single
максимальная рабочая температура	+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора	5 A
maximum dc collector current	5A
минимальная рабочая температура	55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)	7 V
напряжение коллектор-база (vcbo)	150 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	60 V
pd - power dissipation	2.4W
pd - рассеивание мощности	4460 mW
подкатегория	Transistors
полярность транзистора	NPN
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)	185 MHz
размер фабричной упаковки	1000
серия	ZXTN25060
тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка	Diodes Incorporated
transistor type	NPN
упаковка / блок	SOT-89-3
вес, г	0.052
вид монтажа	SMD/SMT
Ширина	2.6 м

Отзывов нет

Кнопки

ZXTN25060BZTA