Name: ZXTN25020DGTA, Bipolar Transistors - BJT NPN 20V HIGH GAIN
Brand: DIODES INC.
SKU: ZXTN25020DGTA

Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes ZXTN25020DGTA, Bipolar Transistors - BJT NPN ...

Подробное описание

250 ₽

– +

Бонус: 5 !

Бонусная программа

Итого: 250 ₽

Купить

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Дата загрузки	23.02.2024
Вес и габариты
вес, г	0.11
Информация о производителе
Производитель	DIODES INC.
Бренд	DIODES INC.
Основные
collector- base voltage vcbo:	100 V
collector-emitter saturation voltage:	225 mV
collector- emitter voltage vceo max:	20 V
configuration:	Single
dc collector/base gain hfe min:	300 at 10 mA, 2 V, 250 at 2 A, 2 V, 50 at 7 A, 2 V
dc current gain hfe max:	300
emitter- base voltage vebo:	7 V
factory pack quantity: factory pack quantity:	1000
gain bandwidth product ft:	215 MHz
категория	Электронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:	Diodes Incorporated
maximum dc collector current:	7 A
maximum operating temperature:	+150 C
minimum operating temperature:	-55 C
mounting style:	SMD/SMT
package / case:	SOT-223-4
партномер	8004613652
pd - power dissipation:	3 W
product category:	Bipolar Transistors-BJT
product type:	BJTs-Bipolar Transistors
series:	ZXTN250
subcategory:	Transistors
technology:	Si
transistor polarity:	NPN
Время загрузки	0:00:15

Отзывов нет

Кнопки

Теги: