ZXTN25020DGTA, 6V 1.2W 300@10mA,2V 7A NPN SOT-223 BIpolar TransIstors - BJT ROHS

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: ZXTN25020DGTA
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes ZXTN25020DGTA, 6V 1.2W 300@10mA,2V 7A NPN ...
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.22
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
300
+
Бонус: 6 !
Бонусная программа
Итого: 300
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.22
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
collector- base voltage vcbo:100 V
collector-emitter saturation voltage:225 mV
collector- emitter voltage vceo max:20 V
configuration:Single
dc collector/base gain hfe min:300 at 10 mA, 2 V, 250 at 2 A, 2 V, 50 at 7 A, 2 V
dc current gain hfe max:300
emitter- base voltage vebo:7 V
factory pack quantity: factory pack quantity:1000
gain bandwidth product ft:215 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Diodes Incorporated
maximum dc collector current:7 A
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:SMD/SMT
package / case:SOT-223-4
партномер8020515449
pd - power dissipation:3 W
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
series:ZXTN250
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:NPN
Время загрузки0:00:15
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль